VFT300-28

更新时间： 2024-02-16 18:37:20

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描述
VHF POWER MOSFET Silicon N-Channel Enhancement Mode

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VFT300-28 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

VFT300-28 数据手册

VFT300-28

VHF POWER MOSFET

Silicon N-Channel Enhancement Mode

DESCRIPTION:

The VFT300-28 is Designed for

Wideband High Power VHF Amplifier

Applications operating up to 250 MHz.

PACKAGE STYLE .400 BAL FLG (D)

FULL R

(4X).060R

.080x45°

FEATURES:

.1925

· P_G= 14 dB Typical at 175 MHz

· h_D= 55% Typ. at P_OUT= 300 Watts

· Omnigold™ Metalization System

Sources are connected

to flange

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

I_D

16 A

65 V

.220 / 5.59

.230 / 5.84

.210 / 5.33

.125 / 3.18

(BR)DSS

.380 / 9.65

.580 / 14.73

.390 / 9.91

.620 / 15.75

V_DGR

65 V

.435 / 11.05

1.090 / 27.69

1.335 / 33.91

.003 / 0.08

.060 / 1.52

.100 / 2.54

1.105 / 28.07

1.345 / 34.16

.007 / 0.18

.070 / 1.78

.115 / 2.92

.230 / 5.84

.407 / 10.34

.870 / 22.10

V_GS

P_DISS

T_J

± 40 V

300 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.6 ^OC/W

.395 / 10.03

.850 / 21.59

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10707

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

V_(BR)DSS

I_DSS

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_GS= 0 V

V_DS= 28 V

V_DS= 0 V

V_DS= 10 V

V_GS= 10 V

V_DS= 10 V

I_DS= 100 mA

V_GS= 0 V

V_GS= 20 V

I_D= 100 mA

I_D= 10 A

m A

5.0

1.0

5.0

1.5

I_GSS

V_GS

1.0

V_DS

G_FS

I_D= 5 A

3500

C_iss

C_oss

C_rss

375

188

V_GS= 28 V

V_DS= 0 V

F = 1.0 MHz

P_OUT= 300 W

G_PS

V_DD= 28 V

f = 175 MHz

I_DQ= 2 x 250 mA

h _D

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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