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V6KM120DUHM3/H

更新时间： 2024-09-17 02:51:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 136K
描述
High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V6KM120DUHM3/H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownFactory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.7其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.82 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F6最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：2相数：1
端子数量：6最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：2.4 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：120 V
最大反向电流：300 µA反向测试电压：120 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

V6KM120DUHM3/H 数据手册

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V6KM120DU  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High Current Density Surface-Mount  
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier  
Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 1.5 A  
FEATURES  
1
2
Available  
• Trench MOS Schottky technology  
3
• Low forward voltage drop, low power losses  
4
• High efficiency operation  
8
7
• Meets MSL level 1, per J-STD-020,  
LF maximum peak of 260 °C  
6
5
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code: base P/NHM3  
FlatPAK 5 x 6  
1 and / or 2  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
7, 8  
5, 6  
3 and / or 4  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency DC/DC converters,  
freewheeling diodes, and polarity protection applications.  
click logo to get started  
DESIGN SUPPORT TOOLS  
Models  
MECHANICAL DATA  
Available  
Case: FlatPAK 5 x 6  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 x 3 A  
120 V  
80 A  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant, and  
VRRM  
IFSM  
AEC-Q101 qualified  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 and HM3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test   
VF at IF = 3 A (TA = 125 °C)  
TJ max.  
0.60 V  
175 °C  
Package  
FlatPAK 5 x 6  
Circuit configuration  
Separated cathode  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V6KM120DU  
UNIT  
Device marking code  
V6M12D  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
120  
3
V
A
A
(1)  
IF(AV)  
Maximum DC forward current per diode  
(2)  
IF(AV)  
2.4  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
80  
A
(3)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
-40 to +175  
-55 to +175  
°C  
°C  
TSTG  
Notes  
(1)  
(2)  
(3)  
With infinite heatsink  
Free air, mounted on recommended pad area  
The heat generated must be less than the thermal conductivity from junction-to-ambient: dPD/dTJ < 1/RJA  
Revision: 26-Jul-2018  
Document Number: 87419  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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