是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | Factory Lead Time: | 8 weeks |
风险等级: | 1.7 | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.82 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 | 最大非重复峰值正向电流: | 80 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 6 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 2.4 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 120 V | 最大反向电流: | 300 µA |
反向测试电压: | 120 V | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
V6KM120DU-M3/I | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V6KM45DU | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V6KM45DUHM3/H | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V6KM45DUHM3/I | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V6KM45DU-M3/H | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V6KM45DU-M3/I | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | |
V6N3103 | VISHAY |
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Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier | |
V6P22C | VISHAY |
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High Current Density Surface-Mount TMBS® (Tr | |
V6P22CHM3/H | VISHAY |
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Rectifier Diode, | |
V6P22CHM3/I | VISHAY |
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Rectifier Diode, |