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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> UPT10
UPT10 PDF预览

UPT10

更新时间： 2024-11-19 22:17:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 159K
描述
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS

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UPT10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：S-PDSO-G1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.39
最小击穿电压：11 V外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-216AA
JESD-30 代码：S-PDSO-G1JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：2.5 W最大重复峰值反向电压：10 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

UPT10 数据手册

 浏览型号UPT10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPT10的Datasheet PDF文件第3页 
580 Pleasant St.  
Watertown, MA 02472  
PH: (617) 926-0404  
FAX: (617) 924-1235  
UPT5-UPT48  
UPTB5-UPTB48  
Features  
SURFACE MOUNT  
TRANSIENT VOLTAGE  
SUPPRESSORS  
·
·
·
·
·
·
Powermite Package, 5 to 48 V  
Peak Pulse Power 1000 W for 8x20 Micro-second Pulse  
Clamping Time in Pico-seconds  
Integral Heat Sink / Locking Tabs  
Full Metallic Bottom Eliminates Flux Entrapment  
Bi-directional Version Available  
Description  
Microsemi’s new Powermite UPT series transient voltage suppressors feature oxide passivated zener type  
chips, with high-temperature solder bonds to achieve high surge capability, and negligible electrical degrad-  
ation under repeated surge conditions.  
In addition to its size advantages, Powermite package includes a full metallic bottom which eliminates the  
possibility of solder flux entrapment at assembly, and a unique locking tab that acts as an integral heatsink.  
Innovative design makes this device fully compatible for use with automatic insertion equipment.  
Absolute Maximum Ratings at 25°C  
Stand-Off Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 to 48 VOLTS ( See Characteristics Table )  
Peak Pulse Power ( 8 x 20 micro-second pulse ) . . . . . . . . . . . . . . . . 1000 WATTS . . ( See Figure 1 )  
Peak Pulse Power ( 1 milli-second pulse ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 WATTS . . ( See Figure 2 )  
Peak Pulse Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Characteristics Table  
Breakdown Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Characteristics Table  
Power( Continuous ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5 WATTS  
Electrical Characteristics at 25°C  
Minimum  
Breakdown  
Voltage  
Maximum Maximum  
Maximum  
Clamping  
Voltage  
Maximum  
Temp.  
Coefficient  
of BV  
DEVICE  
TYPE  
Stand-Off  
Voltage  
VR  
Leakage  
Current  
IR @ VR  
Peak  
Current*  
IP  
BV(min) @ 1 mA  
VR @ 10 A  
Unidirectional Bi-directional  
(V)  
5
8
(V)  
6.0  
9.0  
(A)  
(V)  
(mA)  
50  
2
2
1
1
1
1
1
(%/°C)  
.030  
.040  
.045  
.050  
.055  
.060  
.070  
.075  
.080  
.090  
UPT 5  
UPT 8  
UPTB 5  
UPTB 8  
UPTB10  
UPTB12  
UPTB15  
UPTB17  
UPTB24  
UPTB28  
UPTB33  
UPTB48  
89.4  
62.1  
47.2  
40.3  
33.9  
30.8  
22.0  
19.2  
16.4  
11.2  
9.5  
13.7  
18.0  
21.6  
26.0  
29.2  
43.2  
47.8  
56.7  
84.3  
UPT10  
10  
12  
15  
17  
24  
28  
33  
48  
11.0  
13.8  
16.7  
19.0  
28.4  
31.0  
36.8  
54.0  
UPT12  
UPT15  
UPT17  
UPT24  
UPT28  
UPT33  
1
1
UPT48  
* See Figure 1  
MSCO264A 02-11-00  
DSW UPT5 <-> (36256)  
123

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与UPT10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPT10E3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
UPT10E3/TR13 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10E3/TR7 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10R MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode,
UPT10RE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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