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UPT12E3/TR13

更新时间: 2024-11-20 20:03:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 231K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2

UPT12E3/TR13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-216AA
包装说明:S-PDSO-G1针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
最小击穿电压:13.8 V外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-216AA
JESD-30 代码:S-PDSO-G1JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:1000 W
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2.5 W
最大重复峰值反向电压:12 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:MATTE TIN OVER COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

UPT12E3/TR13 数据手册

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UPT12E3/TR13 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UPT12E3 MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
UPT12RE3/TR7 MICROSEMI

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 12V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
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