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UPT15E3

更新时间： 2025-08-09 15:56:15

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	240K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, POWERMITE-2

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UPT15E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-216AA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, POWERMITE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.46
其他特性：	TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE	最小击穿电压：	16.7 V
外壳连接：	ANODE	最大钳位电压：	26 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G1
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	1000 W	元件数量：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	15 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPT15E3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT15E3/TR7	MICROCHIP	获取价格	元器件封装:Powermite 1（DO216-AA）;
UPT15E3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT15R	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
UPT15RE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT15RE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT15RE3/TR7	MICROCHIP	获取价格	26V夹子5.77AIppTVS-二极管表面贴装型Powermite1（DO216-AA）
UPT15RE3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT15RTR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
UPT15RTR13E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2