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UPT10E3

更新时间： 2024-11-20 20:06:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
5页	240K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, POWERMITE-2

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UPT10E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSSO-G1
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
其他特性：	TEMPERATURE COEFFICIENT IS DERIVED FROM MINIMUM BREAK-DOWN VOLTAGE	最小击穿电压：	11 V
外壳连接：	ANODE	最大钳位电压：	18 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-G1
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	1000 W	元件数量：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	2.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPT10E3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10E3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10R	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
UPT10RE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10RE3/TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10RE3/TR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
UPT10RTR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
UPT10RTR7	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
UPT10RTR7E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2
UPT10TR13	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2