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UPF1N100

更新时间： 2024-11-17 22:17:15

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
SURFACE MOUNT N . CHANNEL MOSFET

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UPF1N100 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	13.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPF1N100 数据手册

580 Pleasant Street

Watertown, MA 02472

Phone:(617) 926-0404

F A X : (617) 924-1235

UPF1N100

Features

•

Rugged POWERMITE 3 Surface Mount Package

SURFACE MOUNT

N – CHANNEL

MOSFET

Low On-State Resistance

Avalanche and Surge Rated

High Frequency Switching

Ultra Low Leakage current

UIS rated

Available with Lot Acceptance Testing

Description

This device is an N-Channel enhancement mode, high density MOSFET.

It is passivated with 4 um (40 kA) of oxynitride, and supplied in a three

leaded package.

Maximum Ratings

PARAMETER

Drain-to-Source Voltage

Gate- to -Source Voltage

Continuous Drain Current @ TC = 25°C

Continuous Drain Current @ TC=100°C

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

SYMBOL

V_DSS

V_GS

VALUE

1000

+/- 20

1.0

UNIT

Volts

Amps

I_D1

I_D2

I_AR

E_AR

0.27

1.0

3.5

E_AS

120

Operating & Storage Junction Temperature Range T_J, T_STG- 40 to +125

°C

Steady-state Thermal Resistance, Junction-to-Tab Rθ_J-TAB

2.5

°C/Watt

Static Electrical Characteristics

SYMBOL

CHARACTERISTICS / TEST CONDITIONS

MIN TYP MAX UNIT

BV_DSSDrain to Source Breakdown Voltage

(VGS=0V, ID=0.25mA)

(VGS=VDS, ID=1mA, TJ=37°C )

(VGS=VDS, ID=1mA, TJ=25°C )

(VGS=10V, ID=ID 1 , TJ=25°C )

1000

Volts

4.5 Volts

V_GS(TH)2

V_GS(TH)1

R_DS(ON)1

R_DS(ON)2

R_DS(ON)3

R_DS(ON)4

R_DS(ON)5

I_DSS1

3.4

3.5

Gate Threshold Voltage

Drain to Source ON-State Resistance

Drain to Source ON-State Resistance (VGS=7V, ID=5…150ma, TJ=37°C)

Drain to Source ON-State Resistance (VGS=7V, ID=5…150ma, TJ=25°C)

Drain to Source ON-State Resistance (VGS=7V, ID=5…150ma, TJ=60°C)

Drain to Source ON-State Resistance

Zero Gate Voltage-Drain Current (VDS=80%BVDSS,VGS=0V,TJ= 25°C )

Zero Gate Voltage-Drain Current (VDS=80%BVDSS,VGS=0V,TJ=125°C )

12.5 13.5 Ohms

12.5

11.5

15.0

25.5

Ohms

(VGS=7V, ID=ID 1 , TJ=125°C )

250

I_DSS2

I_GSS1

I_GSS2

I_GSS3

Gate to Source Leakage Current

(VGS= ±20V, VDS=0V, TJ = 25°C )

(VGS= ±20V, VDS=0V, TJ = 37°C )

(VGS= ±20V, VDS=0V, TJ=125°C )

±100

10.0

MSC 04-28-00

PRELIMINARY

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