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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.17 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 特性阻抗： | 50 Ω | 构造： | COMPONENT |
| 增益： | 12 dB | 最大输入功率 (CW)： | 10 dBm |
| JESD-609代码： | e0 | 最大工作频率： | 3000 MHz |
| 最小工作频率： | 50 MHz | 最高工作温度： | 80 °C |
| 最低工作温度： | -50 °C | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND LOW POWER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPG101P | NEC |
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WIDE BAND AMPLIFIER CHIPS |
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| UPG101P | CEL |
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Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 3000MHz Max, HERMETIC |
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| UPG102B1 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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| UPG102B-1 | RENESAS |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,GAAS,FLANGE MT,CERAMIC |
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| UPG102B2 | ETC |
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Analog IC |
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| UPG102K1 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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| UPG102K2 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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| UPG102K-2 | RENESAS |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,GAAS,FLANGE MT,CERAMIC |
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| UPG102P1 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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| UPG102P-1 | RENESAS |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,GAAS,DIE |
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