5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPFS320P | MICROSEMI |
获取价格 |
SURFACE MOUNT P . CHANNEL MOSKEY |
|
| UPG100A | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| UPG100B | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE WIDE-BAND AMPLIFIER |
|
| UPG100P | NEC |
获取价格 |
LOW NOISE WIDE-BAND AMPLIFIER |
|
| UPG101B | CEL |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 3000MHz Max, HERMETIC SEALED PACKAGE-8 |
|
| UPG101P | NEC |
获取价格 |
WIDE BAND AMPLIFIER CHIPS |
|
| UPG101P | CEL |
获取价格 |
Wide Band Low Power Amplifier, 50MHz Min, 3000MHz Max, HERMETIC |
|
| UPG102B1 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| UPG102B-1 | RENESAS |
获取价格 |
IC,MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER,GAAS,FLANGE MT,CERAMIC |
|
| UPG102B2 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
