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UPF1N50E3

更新时间： 2024-11-18 20:56:03

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	65K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, POWERMITE-3

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UPF1N50E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.38
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	3.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPF1N50E3 数据手册

UPF1N50

SURFACE MOUNT N CHANNEL MOSFET

W AT E R T OW N D I V I S I O N

PRELIMINARY

DESCRIPTION

KEY FEATURES

!"POWERMITE 3 Surface Mount

Package

Power MOS V(R) MOSFET in ultra low profile patented Powermite 3(TM)

package provides the designer with the best combination of fast Switching,

ruggedized device design, low on-resistance, cost effectiveness in the

industry's smallest high power surface mount package.

!"Low On-State Resistance

!"High Frequency Switching

!"Ultra Low Leakage current

!"Integral Heat Sink / Locking

Tabs

The UPF1N50 is ideal for ultra small motor control and switch mode power

supply applications.

!"Supplied in 16mm Tape and

Reel – 6000 units/reel

!"Superior Low Thermal And

Electrical capability

The Powermite 3 is designed for surface mounting using vapor phase,

infrared, or wave soldering techniques. With power dissipation levels up to

1.8 Watts, the Powermite 3 offers similar power handling capability to device

4 times its size by using a patented full metal wrap around bottom.

APPLICATIONS/BENEFITS

• Motor Control

• Switch Mode Power Supplies

IMPORTANT:

For the most current data, consult MICROSEMI’s website: http://www.microsemi.com

MECHANICAL CHARACTERISTICS

POWERMITE 3 Surface Mount Package

•

Footprint Area of 16.51 mm

Case: Molded Epoxy

Meets UL94VO at 1/8 inch

Weight: 72 milligrams

Lead and Mounting Temperatures: 260 ⁰C max for 10 seconds

MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Drain-to-Source Voltage

500

+/-20

1.0

Volts

Amps

DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current @ TC = 25ºC

Continuous Drain Current @ TC = 100ºC

0.8

Operating & Storage Junction Temperature Range

Total Power Dissipation

- 40 to + 125

ºC

Watts

J, STG

PD (1)

1.8

THERMAL CHARACTERISTICS

S_{TEADY STATE}

T_HERMALR_ESISTANCE

SYMBOL

VALUE

UNIT

Junction-to-Tab

(1) Junction-to-ambient

(2) Junction-to-ambient

Rθ_J-TAB

RθJA (1)

RθJA (2)

2.0

120

°C/Watts

(1) Mounted on 2” square by 0.06’ thick FR4 board with a 1”× 1”square 2-ounce cooper pattern.

(2) Mounted on 0.06’ thick FR4 board, using recommended footprint.

MSC1541.PDF 2000-08-08

Microsemi

Page 1

Watertown Division

580 Pleasant Street, Watertown, MA. 02172, 617-926-0404, Fax: 617-924-1235

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPF2012P	CREE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
UPF454261	PANASONIC	获取价格	Lithium Ion
UPF476790	PANASONIC	获取价格	Lithium Ion
UPF574199	PANASONIC	获取价格	Lithium Ion
UPF673791	PANASONIC	获取价格	Lithium Ion
UPFS120P	MICROSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT P - CHANNEL MOSKEY
UPFS320P	MICROSEMI	获取价格	SURFACE MOUNT P . CHANNEL MOSKEY
UPG100A	ETC	获取价格	Analog IC
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UPG100P	NEC	获取价格	LOW NOISE WIDE-BAND AMPLIFIER

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