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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSSOP, |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.64 | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | JESD-609代码： | e3/e6 |
| 长度： | 18 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 512KX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | MATTE TIN/TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD448012GY-C85X-MJH | NEC |
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8M-BIT CMOS STATIC RAM 512K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD448012GY-C85X-MJH | RENESAS |
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512KX16 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
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| UPD448012GY-C85X-MJH-A | NEC |
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暂无描述 |
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| UPD448012-X | NEC |
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8M-BIT CMOS STATIC RAM 512K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD4481161 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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| UPD4481161GF-A65 | NEC |
获取价格 |
8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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| UPD4481161GF-A65Y | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| UPD4481161GF-A65Y-A | NEC |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |
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| UPD4481161GF-A75 | NEC |
获取价格 |
8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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| UPD4481161GF-A75-A | NEC |
获取价格 |
ZBT SRAM, 512KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |
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