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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP48,.71,20 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 512KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP48,.71,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 1 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.2 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 12 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPD448012GY-C85X-MJH-A | NEC |
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暂无描述 |
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| UPD448012-X | NEC |
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8M-BIT CMOS STATIC RAM 512K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION |
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| UPD4481161 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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| UPD4481161GF-A65 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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| UPD4481161GF-A65Y | NEC |
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暂无描述 |
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| UPD4481161GF-A65Y-A | NEC |
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ZBT SRAM, 512KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |
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| UPD4481161GF-A75 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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| UPD4481161GF-A75-A | NEC |
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ZBT SRAM, 512KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |
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| UPD4481161GF-A75Y-A | NEC |
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ZBT SRAM, 512KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |
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| UPD4481161GF-A85 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION |
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