是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.64 | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 16.4 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -25 °C | 组织: | 512KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD448012GY-C85X-MJH | NEC |
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8M-BIT CMOS STATIC RAM 512K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION | |
UPD448012GY-C85X-MJH | RENESAS |
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512KX16 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO48, 12 X 18 MM, PLASTIC, TSOP1-48 | |
UPD448012GY-C85X-MJH-A | NEC |
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暂无描述 | |
UPD448012-X | NEC |
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8M-BIT CMOS STATIC RAM 512K-WORD BY 16-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION | |
UPD4481161 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION | |
UPD4481161GF-A65 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION | |
UPD4481161GF-A65Y | NEC |
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暂无描述 | |
UPD4481161GF-A65Y-A | NEC |
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ZBT SRAM, 512KX16, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 | |
UPD4481161GF-A75 | NEC |
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8M-BIT ZEROSB SRAM FLOW THROUGH OPERATION | |
UPD4481161GF-A75-A | NEC |
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ZBT SRAM, 512KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, LQFP-100 |