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UPD44646187F5-E27-FQ1-A

更新时间： 2024-02-03 01:56:16

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	397K
描述
DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44646187F5-E27-FQ1-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LBGA,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.78	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	17 mm	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	DDR SRAM	内存宽度：	18
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX18
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.51 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

UPD44646187F5-E27-FQ1-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD44646095, 44646185, 44646365, 44646097, 44646187, 44646367

72M-BIT DDR II+ SRAM SEPARATE I/O

2.0 & 2.5 Cycle Read Latency

2-WORD BURST OPERATION

Description

The μPD44646095 and μPD44646097 are 8,388,608-word by 9-bit, the μPD44646185 and μPD44646187 are

4,194,304-word by 18-bit and the μPD44646365 and μPD44646367 are 2,097,152-word by 36-bit synchronous double

data rate static RAMs fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The μPD44646xx5 is for 2.0 cycle and the μPD44646xx7 is for 2.5 cycle read latency. The μPD44646095, μPD44646097,

μPD44646185, μPD44646187, μPD44646365 and μPD44646367 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a

burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are latched on the positive edge of K and K#.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density

and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.

Features

• Core (VDD) = 1.8 ± 0.1 V power supply

I/O (V^DDQ) = 1.5 ± 0.1 V power supply

• 165-pin PLASTIC BGA (15x17)

• HSTL interface

• PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• DDR read or write operation initiated each cycle

• Pipelined double data rate operation

• Separate data input/output bus

• Two-tick burst for low DDR transaction size

• Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two Echo clocks (CQ and CQ#)

• Data Valid pin (QVLD) supported

• Read latency : 2.0 & 2.5 clock cycles (Not selectable by user)

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability. Normal operation is restored in 2,048 cycles after clock is resumed.

• User programmable impedance output (35 to 70 Ω)

• Fast clock cycle time : 2.66 ns (375 MHz) for 2.0 cycle read latency,

2.5 ns (400 MHz) for 2.5 cycle read latency

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG 1149.1 compatible test access port

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M18525EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2006 NS CP(N)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD44646187F5-E30-FQ1-A	NEC	DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44646187F5-E33-FQ1-A	NEC	DDR SRAM, 4MX18, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44646362AF5-E25-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,DDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44646362AF5-E30-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,DDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44646362AF5-E33-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,DDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44646363AF5-E20-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,DDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格

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