是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | BGA, BGA165,11X15,40 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 0.45 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 450 MHz | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | 内存密度: | 75497472 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 9 |
端子数量: | 165 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA165,11X15,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.44 A | 最小待机电流: | 1.7 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.73 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD44647096AF5-E25-FQ1-A | RENESAS |
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IC,SYNC SRAM,QDR,8MX9,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC | |
UPD44647096AF5-E30-FQ1-A | RENESAS |
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IC,SYNC SRAM,QDR,8MX9,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC | |
UPD44647096F5-E25-FQ1-A | NEC |
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IC,SYNC SRAM,QDR,8MX9,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC | |
UPD44647096F5-E27-FQ1-A | NEC |
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8MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44647096F5-E30-FQ1 | NEC |
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QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44647096F5-E30-FQ1-A | NEC |
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QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44647096F5-E33-FQ1 | NEC |
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QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44647096F5-E33-FQ1-A | NEC |
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QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | |
UPD44647184AF5-E25-FQ1-A | RENESAS |
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IC,SYNC SRAM,QDR,4MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC | |
UPD44647184AF5-E30-FQ1-A | RENESAS |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,QDR,4MX18,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC |