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UPD44647186F5-E33-FQ1

更新时间： 2024-02-27 22:42:53

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
36页	479K
描述
QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

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UPD44647186F5-E33-FQ1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LBGA,	针数：	165
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
最长访问时间：	0.45 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	17 mm
内存密度：	75497472 bit	内存集成电路类型：	QDR SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.51 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	15 mm	Base Number Matches：	1

UPD44647186F5-E33-FQ1 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD44647094,44647184,44647364,44647096,44647186,44647366

72M-BIT QDR^TMII+ SRAM

2.0 & 2.5 Cycle Read Latency

4-WORD BURST OPERATION

Description

The μPD44647094 and μPD44647096 are 8,388,608-word by 9-bit, the μPD44647184 and μPD44647186 are

4,194,304-word by 18-bit and the μPD44647364 and μPD44647366 are 2,097,152-word by 36-bit synchronous quad data

rate static RAMs fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The μPD44647xx4 is for 2.0 cycle and the μPD44647xx6 is for 2.5 cycle read latency. The μPD44647094,

μPD44647096, μPD44647184, μPD44647186, μPD44647364 and μPD44647366 integrate unique synchronous

peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are latched on

the positive edge of K and K#.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density

and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.

Features

• Core (VDD) = 1.8 ± 0.1 V power supply

I/O (V^DDQ) = 1.5 ± 0.1 V power supply

• 165-pin PLASTIC BGA (15x17)

• HSTL interface

• PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Separate independent read and write data ports with concurrent transactions

• 100% bus utilization DDR READ and WRITE operation

• Four-tick burst for reduced address frequency

• Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two Echo clocks (CQ and CQ#)

• Data Valid pin (QVLD) supported

• Read latency : 2.0 & 2.5 clock cycles (Not selectable by user)

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability. Normal operation is restored in 2,048 cycles after clock is resumed.

• User programmable impedance output (35 to 70 Ω)

• Fast clock cycle time : 2.66 ns (375 MHz) for 2.0 cycle read latency,

2.5 ns (400 MHz) for 2.5 cycle read latency

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG 1149.1 compatible test access port

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M18526EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2006 NS CP(N)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
UPD44647186F5-E33-FQ1-A	NEC	4MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44647364AF5-E30-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,QDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44647364AF5-E33-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,QDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44647364F5-E27-FQ1	NEC	IC,SYNC SRAM,QDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44647364F5-E27-FQ1-A	NEC	IC,SYNC SRAM,QDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44647364F5-E30-FQ1	NEC	QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格

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