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UPD44647364F5-E30-FQ1-A

更新时间： 2024-01-27 10:11:05

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
36页	479K
描述
QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

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UPD44647364F5-E30-FQ1-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
针数：	165	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	最长访问时间：	0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	36
端子数量：	165	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.5,1.8 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

UPD44647364F5-E30-FQ1-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD44647094,44647184,44647364,44647096,44647186,44647366

72M-BIT QDR^TMII+ SRAM

2.0 & 2.5 Cycle Read Latency

4-WORD BURST OPERATION

Description

The μPD44647094 and μPD44647096 are 8,388,608-word by 9-bit, the μPD44647184 and μPD44647186 are

4,194,304-word by 18-bit and the μPD44647364 and μPD44647366 are 2,097,152-word by 36-bit synchronous quad data

rate static RAMs fabricated with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell.

The μPD44647xx4 is for 2.0 cycle and the μPD44647xx6 is for 2.5 cycle read latency. The μPD44647094,

μPD44647096, μPD44647184, μPD44647186, μPD44647364 and μPD44647366 integrate unique synchronous

peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (K and K#) are latched on

the positive edge of K and K#.

These products are suitable for application which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density

and wide bit configuration.

These products are packaged in 165-pin PLASTIC BGA.

Features

• Core (VDD) = 1.8 ± 0.1 V power supply

I/O (V^DDQ) = 1.5 ± 0.1 V power supply

• 165-pin PLASTIC BGA (15x17)

• HSTL interface

• PLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling

• Separate independent read and write data ports with concurrent transactions

• 100% bus utilization DDR READ and WRITE operation

• Four-tick burst for reduced address frequency

• Two input clocks (K and K#) for precise DDR timing at clock rising edges only

• Two Echo clocks (CQ and CQ#)

• Data Valid pin (QVLD) supported

• Read latency : 2.0 & 2.5 clock cycles (Not selectable by user)

• Internally self-timed write control

• Clock-stop capability. Normal operation is restored in 2,048 cycles after clock is resumed.

• User programmable impedance output (35 to 70 Ω)

• Fast clock cycle time : 2.66 ns (375 MHz) for 2.0 cycle read latency,

2.5 ns (400 MHz) for 2.5 cycle read latency

• Simple control logic for easy depth expansion

• JTAG 1149.1 compatible test access port

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M18526EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2006 NS CP(N)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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UPD44647364F5-E33-FQ1-A	NEC	QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44647366AF5-E25-FQ1-A	RENESAS	IC,SYNC SRAM,QDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格
UPD44647366F5-E25-FQ1	NEC	QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44647366F5-E25-FQ1-A	NEC	QDR SRAM, 2MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165	获取价格
UPD44647366F5-E27-FQ1	NEC	IC,SYNC SRAM,QDR,2MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC	获取价格

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