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UPD4216900LLE-A80

更新时间: 2024-01-18 03:47:17
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 513K
描述
Fast Page DRAM, 2MX9, 80ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

UPD4216900LLE-A80 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ32,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:80 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32JESD-609代码:e0
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:9端子数量:32
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX9输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.0004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD4216900LLE-A80 数据手册

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