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UPD4216900LG5M-A70

更新时间: 2024-01-05 06:10:48
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 513K
描述
Fast Page DRAM, 2MX9, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32

UPD4216900LG5M-A70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G32
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:9功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX9
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4216900LG5M-A70 数据手册

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