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UPD4216900LG5M-A80

更新时间: 2024-01-18 23:23:21
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 513K
描述
Fast Page DRAM, 2MX9, 80ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32

UPD4216900LG5M-A80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:9
端子数量:32字数:2097152 words
字数代码:2000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP32,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096反向引出线:YES
自我刷新:NO最大待机电流:0.0004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD4216900LG5M-A80 数据手册

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