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UPD41257L-15

更新时间: 2024-10-14 03:03:19
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日电电子 - NEC 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 734K
描述
262144 X 1-BIT DYNAMIC NMOS RAM

UPD41257L-15 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, LCC-18
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:NIBBLE
最长访问时间:150 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PQCC-J18长度:12.5 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:7.4 mm
Base Number Matches:1

UPD41257L-15 数据手册

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