生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PLASTIC, LCC-18 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | NIBBLE |
最长访问时间: | 150 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J18 | 长度: | 12.5 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NIBBLE MODE DRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 座面最大高度: | 3.7 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | NMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 7.4 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD41257L-20 | NEC |
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262144 X 1-BIT DYNAMIC NMOS RAM | |
UPD41257V-12 | RENESAS |
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IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC | |
UPD41257V-15 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC | |
UPD41257V-20 | RENESAS |
获取价格 |
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC | |
UPD41258G12 | RENESAS |
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UPD41258G12 | |
UPD41264C-12 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41264C-15 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41264V-12 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41264V-15 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41416 | NEC |
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16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM |