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UPD41464C-80

更新时间： 2024-09-12 22:49:27

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UPD41464C-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
访问模式：	PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDIP-T18
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	PAGE MODE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	18
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	256	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	NMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD41464L	NEC	获取价格	DYNAMIC NMOS RAM
UPD41464L-10	NEC	获取价格	DYNAMIC NMOS RAM
UPD41464L-12	NEC	获取价格	DYNAMIC NMOS RAM
UPD41464L-15	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
UPD41464L-80	NEC	获取价格	DYNAMIC NMOS RAM
UPD41464V-10	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
UPD41464V-12	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
UPD41464V-15	ETC	获取价格	x4 Page Mode DRAM
UPD414C-1	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,PAGE MODE,4KX1,MOS,DIP,16PIN,PLASTIC
UPD414C-2	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,PAGE MODE,4KX1,MOS,DIP,16PIN,PLASTIC