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UPD414C-2

更新时间: 2024-10-30 19:57:55
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 571K
描述
IC,DRAM,PAGE MODE,4KX1,MOS,DIP,16PIN,PLASTIC

UPD414C-2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:200 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:4096 words
字数代码:4000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:64
子类别:DRAMs表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD414C-2 数据手册

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