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UPD416C-1

更新时间: 2024-10-14 14:36:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 344K
描述
Page Mode DRAM, 16KX1, 250ns, NMOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16

UPD416C-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP,
针数:16Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.9访问模式:PAGE
最长访问时间:250 ns其他特性:RAS ONLY REFRESH
JESD-30 代码:R-PDIP-T16内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:16字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
认证状态:Not Qualified刷新周期:128
座面最大高度:4.55 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:NMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

UPD416C-1 数据手册

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