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UPD41464L-10

更新时间: 2024-10-13 22:16:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 存储内存集成电路动态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 699K
描述
DYNAMIC NMOS RAM

UPD41464L-10 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, LCC-18
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
Is Samacsys:N访问模式:PAGE
最长访问时间:100 ns其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PQCC-J18长度:12.5 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:PAGE MODE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:7.4 mm
Base Number Matches:1

UPD41464L-10 数据手册

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UPD41464L-10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MN41464AJ-08 PANASONIC

功能相似

Page Mode DRAM, 64KX4, 80ns, NMOS, PQCC18, 0.290 INCH, PLASTIC, QFJ-18

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