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UPD41257V-15

更新时间: 2024-02-24 07:26:46
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 678K
描述
IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC

UPD41257V-15 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:ZIP, ZIP16,.1Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:150 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PZIP-T16
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM内存宽度:1
端子数量:16字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装等效代码:ZIP16,.1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:256子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:1.27 mm端子位置:ZIG-ZAG
Base Number Matches:1

UPD41257V-15 数据手册

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