是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | ZIP, ZIP16,.1 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 200 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PZIP-T16 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | NIBBLE MODE DRAM | 内存宽度: | 1 |
端子数量: | 16 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | ZIP | 封装等效代码: | ZIP16,.1 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 子类别: | DRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | MOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | ZIG-ZAG |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD41258G12 | RENESAS |
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UPD41258G12 | |
UPD41264C-12 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41264C-15 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41264V-12 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41264V-15 | ETC |
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Fast Page Mode VRAM | |
UPD41416 | NEC |
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16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM | |
UPD41416-12 | NEC |
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16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM | |
UPD41416-15 | NEC |
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16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM | |
UPD41416-20 | NEC |
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16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM | |
UPD41416C15 | RENESAS |
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UPD41416C15 |