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UPD41257L-20

更新时间： 2024-10-14 03:03:19

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UPD41257L-20 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, LCC-18
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
访问模式：	NIBBLE	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PQCC-J18
长度：	12.5 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	18	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
座面最大高度：	3.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	NMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	7.4 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD41257V-12	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC
UPD41257V-15	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC
UPD41257V-20	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,NIBBLE MODE,256KX1,MOS,ZIP,16PIN,PLASTIC
UPD41258G12	RENESAS	获取价格	UPD41258G12
UPD41264C-12	ETC	获取价格	Fast Page Mode VRAM
UPD41264C-15	ETC	获取价格	Fast Page Mode VRAM
UPD41264V-12	ETC	获取价格	Fast Page Mode VRAM
UPD41264V-15	ETC	获取价格	Fast Page Mode VRAM
UPD41416	NEC	获取价格	16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM
UPD41416-12	NEC	获取价格	16,384 X 4-BIT DYNAMIC NMOS RAM