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UPD41257C-12

更新时间: 2024-10-14 03:56:59
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日电电子 - NEC /
页数 文件大小 规格书
16页 734K
描述
262144 X 1-BIT DYNAMIC NMOS RAM

UPD41257C-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
访问模式:NIBBLE最长访问时间:120 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDIP-T16
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NIBBLE MODE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:256座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

UPD41257C-12 数据手册

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