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UPA850TD-T3FB

更新时间： 2024-02-07 23:16:54

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
35页	172K
描述
2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA850TD-T3FB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA850TD-T3FB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA850TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Low voltage operation

2 different built-in transistors (2SC5435, 2SC5736)

Q1: High gain transistor

f^T= 12.0 GHz TYP., S^21e²= 8.5 dB TYP. @ V^CE= 3 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications

f^T= 5.0 GHz TYP., S^21e²= 4.5 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz

6-pin lead-less minimold package

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5435

2SC5736

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA850TD

µPA850TD-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10096EJ01V0DS (1st edition)

Date Published February 2002 CP(K)

Printed in Japan

NEC Compound Semiconductor Devices 2002

12 3 4 5 6 7...35

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与UPA850TD-T3FB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA850TD-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA851TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA851TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
UPA851TD	ETC	获取价格	Discrete
UPA851TD-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD
UPA851TD-FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA851TD-T3	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA851TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD
UPA854TC-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA854TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT

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