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UPA855TC-T1FB

更新时间： 2024-01-10 18:24:26
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
28页 143K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6

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UPA855TC-T1FB 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE-6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.72
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：0.7 pF集电极-发射极最大电压：3 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-F6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：12000 MHz
Base Number Matches：1

UPA855TC-T1FB 数据手册

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DATA SHEET  
NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR  
µPA855TC  
NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)  
IN A FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD  
FEATURES  
•
•
Low voltage operation  
2 different built-in transistors (2SC5737, 2SC5745)  
Q1: Low noise transistor  
NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
Q2: Low phase distortion transistor suited for OSC applications  
fT = 5.5 GHz TYP., S21e 2 = 4.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz  
Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package  
•
BUILT-IN TRANSISTORS  
Q1  
Q2  
3-pin thin-type ultra super minimold part No.  
2SC5737  
2SC5745  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Quantity  
50 pcs (Non reel)  
3 kpcs/reel  
Supplying Form  
• 8 mm wide embossed taping  
µPA855TC  
µPA855TC-T1  
• Pin 6 (Q1 Base), Pin 5 (Q2 Emitter), Pin 4 (Q2 Base)  
face the perforation side of the tape  
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.  
The unit sample quantity is 50 pcs.  
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that  
this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices  
representative for availability and additional information.  
Document No. PU10097EJ01V0DS (1st edition)  
Date Published March 2002 CP(K)  
Printed in Japan  
NEC Compound Semiconductor Devices 2002  
1234567...28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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