Datasheet > UPA860TD-FB-A

UPA860TD-FB-A

更新时间： 2024-01-05 15:55:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
33页	162K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, S Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA860TD-FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
基于收集器的最大容量：	0.7 pF	集电极-发射极最大电压：	6 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA860TD-FB-A 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

µPA860TD

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD

FEATURES

•

Low voltage operation

2 different built-in transistors (2SC5435, 2SC5786)

Q1: High-gain transistor

f^T= 12.0 GHz TYP., S^21e²= 8.5 dB TYP. @ V^CE= 3 V, I^C= 10 mA, f = 2 GHz

Q2: Low phase distortion transistor suitable for 3 GHz or higher OSC applications

f^T= 20.0 GHz TYP., S^21e²= 13.0 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 20 mA, f = 2 GHz

NF = 1.4 dB TYP. @ V^CE= 1 V, I^C= 5 mA, f = 2 GHz, Z^S= Z^opt

6-pin lead-less minimold package

•

BUILT-IN TRANSISTORS

3-pin thin-type ultra super minimold part No.

2SC5435

2SC5786

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

50 pcs (Non reel)

10 kpcs/reel

Supplying Form

µPA860TD

µPA860TD-T3

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 1 (Q1 Collector), Pin 6 (Q1 Base) face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10067EJ01V0DS (1st edition)

Date Published January 2002 CP(K)

Printed in Japan

NEC Compound Semiconductor Devices 2002

12 3 4 5 6 7...33

中文翻译

下载PDF

与UPA860TD-FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA860TD-T3	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA860TD-T3FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, S Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA860TD-T3-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA860TD-T3FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, S Band, Silicon, NPN, LEADLESS
UPA861TC	ETC	获取价格	Discrete
UPA861TC-FB	RENESAS	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA861TC-FB	NEC	获取价格	2 CHANNEL, L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, THIN, ULTRA SUPER MINIMOLD PACKAGE
UPA861TC-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA861TC-T1FB	RENESAS	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT
UPA861TC-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, THIN, ULT

与UPA860TD-FB-A相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

3
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

7
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

10
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

5

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA860TD-FB-A

UPA860TD-FB-A 技术参数

UPA860TD-FB-A 数据手册

与UPA860TD-FB-A相关器件

与UPA860TD-FB-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA860TD-FB-A

UPA860TD-FB-A 技术参数

UPA860TD-FB-A 数据手册

与UPA860TD-FB-A相关器件

与UPA860TD-FB-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？