Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> UPA804T-T1FB-A

UPA804T-T1FB-A

更新时间： 2024-02-08 16:39:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	52K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UPA804T-T1FB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	最大集电极电流 (IC)：	0.06 A
基于收集器的最大容量：	1.2 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

UPA804T-T1FB-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

µPA804T

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

(WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

The 2SC4571 has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: m m )

FEATURES

2.1±0.1

•

High fT

1.25±0.1

fT = 5.0 GHz TYP. (@ VCE = 5 V, IC = 5 m A, f = 1 GHz)

Sm all Collector Capacitance

•

C^ob= 0.9 pF TYP. (@ VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)

A surface Mounting Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4571)

•

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

µPA804T

Loose products

(50 PCS)

Em bossed tape 8 m m wide. Pin 6 (Q1

Base), Pin 5 (Q2 Base), Pin 4 (Q2 Em itter)

face to perforation side of the tape.

PIN CONFIGURATION (Top View )

µPA804T-T1

Taping products

(3 KPCS/Reel)

Rem ark If you require an evaluation sam ple, please contact an NEC

Sales Representative. (Unit sam ple quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

PIN CONNECTIONS

1. Collector (Q1)

2. Emitter (Q1)

4. Emitter (Q2)

5. Base (Q2)

6. Base (Q1)

Collector to Base Voltage

Collector to Em itter Voltage

Em itter to Base Voltage

Collector Current

3. Collector (Q2)

m A

m W

Total Power Dissipation

120 in 1 elem ent

160 in 2 elem ents

Note

J unction Tem perature

Storage Tem perature

125

˚C

Tstg

–55 to 125

Note 90 m W m ust not be exceeded in 1 elem ent.

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. ID-3638

(O.D. No. ID-9145)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与UPA804T-T1FB-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA804T-T1GB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA804T-T1-GB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
UPA804T-T1GB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 2-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
UPA805	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI
UPA805T	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI
UPA805TKB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN,
UPA805T-KB	NEC	获取价格	暂无描述
UPA805T-KB-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA805TKB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN
UPA805T-T1	NEC	获取价格	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MI

与UPA804T-T1FB-A相关文章

采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

1
解读L9904TR手册资料：产品概述、主要功能、电气参数
2024-08-20

16
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
2024-08-14

81
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

140

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA804T-T1FB-A

UPA804T-T1FB-A 技术参数

UPA804T-T1FB-A 数据手册

与UPA804T-T1FB-A相关器件

与UPA804T-T1FB-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UPA804T-T1FB-A

UPA804T-T1FB-A 技术参数

UPA804T-T1FB-A 数据手册

与UPA804T-T1FB-A相关器件

与UPA804T-T1FB-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？