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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | POWER, TSSOP-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0225 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA1816GR-9JG-E2 | RENESAS |
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UPA1816GR-9JG-E2 |
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| UPA1816GR-9JG-E2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,9A I(D),SO |
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| UPA1817 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1817GR-9JG | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1818 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1818GR-9JG | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1818GR-9JG-A | RENESAS |
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10000mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, POWER, TSSOP-8 |
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| UPA1818GR-9JG-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| UPA1819 | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1819GR-9JG | NEC |
获取价格 |
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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