是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | POWER, TSSOP-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.76 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.25 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e6 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPA1851GR-9JG-E1-A | RENESAS |
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UPA1851GR-9JG-E1-A | |
UPA1852 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | |
UPA1852GR-9JG | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | |
UPA1853 | NEC |
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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | |
UPA1853GR-9JG | NEC |
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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING | |
UPA1853GR-9JG-A | RENESAS |
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UPA1853GR-9JG-A | |
UPA1854 | ETC |
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UPA1854 Data Sheet | Data Sheet[05/2001] | |
UPA1854GR-9JG | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 3A I(D) | SO | |
UPA1855 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
UPA1855GR-9JG | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |