UPA1434H

更新时间： 2024-11-23 22:17:15

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	56K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE

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UPA1434H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	JESD-609代码：	e0
元件数量：	4	端子数量：	10
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1434H 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR ARRAY

µPA1434

NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY

LOW SPEED SWITCHING USE

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSION

(in m illim eters)

The µPA1434 is NPN silicon epitaxial Power Transistor

Array that built in 4 circuits designed for driving solenoid,

relay, lam p and so on.

4.0

26.8 MAX.

FEATURES

•

Easy m ount by 0.1 inch of term inal interval.

High hFE. Low VCE(sat).

h^FE= 800 to 3200 (at IC = 0.5 A)

V^CE(sat)= 0.5 V MAX. (at IC = 2 A)

1.4

0.5 ±0.1

2.54

ORDERING INFORMATION

1.4 0.6 ±0.1

Part Num ber

Package

Quality Grade

Standard

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

µPA1434H

10 Pin SIP

CONNECTION DIAGRAM

Please refer to “Quality grade on NEC Sem iconductor

Device” (Docum ent num ber IEI-1209) published by NEC

Corporation to know the specification of quality grade on

the devices and its recom m ended applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

VCBO

Collector to Em itter Voltage V^CEO

PIN NO.

Em itter to Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)

Base Current (DC)

V^EBO

2, 4, 6, 8: Base (B)

3, 5, 7, 9: Collector (C)

1, 10: Emitter (E)

I^C(DC)

A/unit

I^C(pulse)*

I^B(DC)

0.6

3.5

Total Power Dissipation

(T^a= 25 ˚C)

P^T1**

Total Power Dissipation

(T^c= 25 ˚C)

P^T2**

J unction Tem perature

Storage Tem perature

T^j

150

˚C

T^stg

–55 to +150 ˚C

* PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10 %

** 4 Circuits

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. IC-3480

Date Published September 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6

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与UPA1434H相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1434H-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1
UPA1436A	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRI
UPA1436AH	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRI
UPA1436AH-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 100V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
UPA1436H	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXOAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)
UPA1437	NEC	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1437H	NEC	获取价格	PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIA
UPA1437H-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 100V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
UPA1438H	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)
UPA1452	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING

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