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UPA1437H-AZ

更新时间： 2024-11-27 21:16:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 62K
描述
3A, 100V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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UPA1437H-AZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T10Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.43
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSIP-T10元件数量：4
端子数量：10封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UPA1437H-AZ 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR ARRAY  
µPA1437  
PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY  
LOW SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR)  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DIMENSION  
(in m illim eters)  
The µPA1437 is PNP silicon epitaxial Darlington  
Power Transistor Array that built in 4 circuits designed  
for driving solenoid, relay, lam p and so on.  
26.8 MAX.  
4.0  
FEATURES  
•
•
Easy m ount by 0.1 inch of term inal interval.  
High hFE for Darlington Transistor.  
ORDERING INFORMATION  
1.4  
0.5 ±0.1  
2.54  
Part Num ber  
Package  
Quality Grade  
Standard  
1.4 0.6 ±0.1  
µPA1437H  
10 Pin SIP  
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  
Please refer to "Quality grade on NEC Sem iconductor Devices"  
(Docum ent num ber IEI-1209) published by NEC Corporation to  
know the specification of quality grade on the devices and its  
recom m ended applications.  
CONNECTION DIAGRAM  
3
5
7
9
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)  
2
1
4
6
8
Collector to Base Voltage  
Collector to Em itter Voltage  
Em itter to Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (pulse)  
Base Current (DC)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
–100  
–100  
–7  
V
V
10  
V
±
IC(DC)  
IC(pulse)*  
IB(DC)  
PT1**  
PT2***  
Tj  
3
A/unit  
A/unit  
A/unit  
W
(C)  
±
6
PIN No.  
2, 4, 6, 8: Base (B)  
3, 5, 7, 9: Collector (C)  
–0.3  
3.5  
28  
Total Power Dissipation  
Total Power Dissipation  
J unction Tem perature  
Storage Tem perature  
(B)  
1, 10  
: Emitter (E)  
W
.
.
150  
˚C  
R1 = 8.3 kΩ  
R2 = 600 Ω  
R1  
R2  
.
.
Tstg –55 to +150 ˚C  
(E)  
* PW ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 10 %  
** 4 Circuits, Ta = 25 ˚C  
*** 4 Circuits, Tc = 25 ˚C  
The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.  
Document No. IC-3516  
Date Published September 1994  
Printed in Japan  
P
1994  
©
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA1438H NEC

获取价格

 		NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)
UPA1452 NEC

获取价格

 		NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING
UPA1452H RENESAS

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 		5A, 60V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, SIP-10
UPA1452H NEC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1
UPA1453 NEC

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 		PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1453H NEC

获取价格

 		PNP SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1453H-AZ RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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