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UMZ16N

更新时间: 2024-11-06 08:24:03
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罗姆 - ROHM 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 156K
描述
Zener diode

UMZ16N 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-70
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:50 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
膝阻抗最大值:80 Ω元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:16 V最大重复峰值反向电压:12 V
最大反向电流:0.1 µA反向测试电压:12 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

UMZ16N 数据手册

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UMZ16N  
Diodes  
Zener diode  
UMZ16N  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure  
Voltage regulation  
㪈㪅㪊  
(common anode configuration)  
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Each lead has same dimension  
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zFeatures  
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1) Small mold type. (UMD3)  
2) High reliability  
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zConstruction  
zStructure  
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Silicon epitaxial planar  
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zTaping dimensions (Unit : mm)  
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㪉㪅㪇㫧㪇㪅㪇㪌  
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㪋㪅㪇㫧㪇㪅㪈  
㪈㪅㪉㪌㫧㪇㪅㪈  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Limits  
200  
Symbol  
Unit  
mW  
Power dissipation ( 1)  
P
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
-55 to +150  
Tstg  
( 1) Rating of per diode  
zElectrical characteristic (Ta=25qC)  
Parameter  
Zener voltage  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
16.51  
0.10  
50  
Unit  
V
Conditions  
VZ  
IR  
15.85  
-
-
-
-
IZ=5mA  
VR=12V  
IZ=5mA  
IZ=0.5mA  
Reverse current  
-
-
-
μA  
Dinamic impedance  
Zener impedance  
ZZ  
ZZk  
80  
1/2  

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