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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMZ1NFHATR
UMZ1NFHATR PDF预览

UMZ1NFHATR

更新时间： 2024-11-06 13:15:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 108K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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UMZ1NFHATR 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-88, 6 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.65
最大集电极电流 (IC)：0.15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

UMZ1NFHATR 数据手册

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EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A  
Transistors  
General purpose transistor  
(dual transistors)  
EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K chip in a  
EMT or UMT or SMT package.  
EMZ1  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
1.2  
1.6  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
Each lead has same dimensions  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
ROHM : EMT6  
UMZ1N  
Abbreviated symbol : Z1  
zStructure  
NPN / PNP epitaxial planar silicon transistor  
1.25  
2.1  
zEquivalent circuit  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
EMZ1 / UMZ1N  
IMZ1A  
(3) (2) (1)  
(4) (5) (6)  
ROHM : UMT6  
EIAJ : SC-88  
Abbreviated symbol : Z1  
Tr1  
Tr1  
Tr2  
Tr2  
IMZ1A  
(4) (5) (6)  
(3) (2) (1)  
1.6  
2.8  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
0.3to0.6  
Limits  
Each lead has same dimensions  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Tr  
1
Tr2  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
60  
50  
7
−60  
−50  
−6  
V
V
Abbreviated symbol : Z1  
V
I
C
150  
−150  
mA  
1
2
∗
EMZ1, UMZ1N  
Power  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
P
C
mW  
dissipation  
∗
IMZ1A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/4  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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