UMZ1NTR

更新时间： 2024-11-09 12:01:51

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器 PC
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描述
General purpose transistor (dual transistors)

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UMZ1NTR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-88
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	0.82	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	472074
Samacsys Pin Count：	6	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	SOT23 (6-Pin)	Samacsys Footprint Name：	UMZ1NTR
Samacsys Released Date：	2019-04-17 04:26:09	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	180 MHz
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

UMZ1NTR 数据手册

EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A

Transistors

General purpose transistor

(dual transistors)

EMZ1 / UMZ1N / IMZ1A

zFeatures

zExternal dimensions (Unit : mm)

1) Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K chip in a

EMT or UMT or SMT package.

EMZ1

( )

2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3

automatic mounting machines.

1.2

1.6

3) Transistor elements are independent, eliminating

interference.

Each lead has same dimensions

4) Mounting cost and area can be cut in half.

ROHM : EMT6

UMZ1N

Abbreviated symbol : Z1

zStructure

NPN / PNP epitaxial planar silicon transistor

1.25

2.1

zEquivalent circuit

0.1Min.

Each lead has same dimensions

EMZ1 / UMZ1N

IMZ1A

(3) (2) (1)

(4) (5) (6)

ROHM : UMT6

EIAJ : SC-88

Abbreviated symbol : Z1

Tr1

Tr2

IMZ1A

(4) (5) (6)

(3) (2) (1)

1.6

2.8

zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)

0.3to0.6

Limits

Each lead has same dimensions

Parameter

Symbol

Unit

Tr2

ROHM : SMT6

EIAJ : SC-74

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CBO

CEO

EBO

−60

−50

−6

Abbreviated symbol : Z1

150

−150

∗

EMZ1, UMZ1N

Power

150 (TOTAL)

300 (TOTAL)

150

dissipation

IMZ1A

Junction temperature

Storage temperature

˚C

Tstg

−55 to +150

1 120mW per element must not be exceeded.

2 200mW per element must not be exceeded.

∗

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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UMZ1NTR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
UMX1NTN	ROHM	类似代替	General purpose transistors (dual transistors)
UMZ2NTR	ROHM	类似代替	Power management (dual transistors)

与UMZ1NTR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UMZ1TL	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMZ1TR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMZ2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| COMPLEMENTARY \| 40V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SO
UMZ20K	ROHM	获取价格	Zener diodes
UMZ20KTL	ROHM	获取价格	Zener Diode, 0.2W,
UMZ22K	ROHM	获取价格	Zener diodes
UMZ22KFHTL	ROHM	获取价格	暂无描述
UMZ22KTL	ROHM	获取价格	Zener Diode, 0.2W,
UMZ24K	ROHM	获取价格	Zener diodes
UMZ24KTL	ROHM	获取价格	暂无描述

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