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UMZ18N

更新时间: 2024-11-06 05:54:39
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罗姆 - ROHM 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
3页 306K
描述
Zener Diode

UMZ18N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:SC-70包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.76其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:18 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:2.2%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

UMZ18N 数据手册

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Zener Diode  
UMZ18N  
Applications  
DimensionsUnit : mm)  
Land size figure(Unit : mm)  
Voltage regulation  
1.3  
(Common anode dual chips)  
2.0±0.2  
0.3±0.1  
0.65  
Each lead has same dimension  
0.15±0.05  
Features  
(3)  
1)Small mold type.(UMD3)  
2)High reliability  
Min.  
0.8
UMD3  
0 to 0.1  
0
(2)  
(1)  
(0.65)  
Construction  
(0.65)  
0.7±0.1  
0.9±0.1  
1.3±0.1  
(3)  
Silicon epitaxial planer  
Structure  
ROHM : UMD3  
JEDEC : SOT-323  
JEITA : SC-70  
dot (year week factory)  
(2) (1)  
Taping specifications(Unit : mm)  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
2.25±0.1  
φ0.5±0.05  
4.0±0.1  
0
ꢀꢀꢀꢀ  
1.25±0.1  
Absolute maximum ratings(Ta=25C)  
Parameter  
Power dissipation (*1)  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
200  
Symbol  
Unit  
mW  
C  
P
Tj  
150  
-55 to +150  
Tstg  
C  
(*1) Total of 2 elements  
Electical characteristic(Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
VZ  
IR  
Zener voltage  
17.56  
-
-
-
18.35  
0.10  
V
IZ=5mA  
VR=13V  
Reverse current  
μA  
www.rohm.com  
©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2010.01 - Rev.A  
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