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UMZ1N

更新时间： 2024-11-06 08:24:03
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4页 1132K
描述
Silicon Epitaxial Planar

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UMZ1N 数据手册

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UMZ1N  
0.15 W, ±150 mA, ±60 V  
Silicon Epitaxial Planar  
Power Management (Dual Transistors)  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-363  
A
FEATURES  
E
L
ꢀ
ꢀ
ꢀ
2SA1037AK and 2SC2412K are housed independently in a package.  
Transistor elements independent, eliminating interference.  
Mounting cost and area can be cut in half.  
B
MARKING AND EQUIVALENT CIRCUIT  
F
C
H
J
3 2 1  
E
5
4
6
D G  
K
C
B
Z1  
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
REF.  
REF.  
TR2  
TR1  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
2.00  
2.15  
1.15  
0.90  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
G
H
J
0.100 REF.  
0.525 REF.  
1
2
3
0.08  
0.15  
K
8°  
4 5 6  
E
B
C
E
F
1.20  
0.15  
1.40  
0.35  
L
0.650 TYP.  
TR1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
RATINGS  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current – Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction & Storage Temperature  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ, TSTG  
60  
50  
7
0.15  
0.15  
V
V
V
A
W
℃
150, -55~150  
TR1 NPN ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX.  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
Collector Output Capacitance  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
Cob  
60  
50  
7
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
µA  
µA  
IC=50µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=50µA, IC=0  
VCB=60V, IE=0  
0.1  
0.1  
560  
0.4  
-
-
VEB=7V, IC=0  
120  
-
-
VCE=6V, IC=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
VCE=12V, IC=2mA, f=100MHz  
VCB=12V, IE=0, f=1MHz  
-
-
-
V
MHz  
pF  
180  
2.0  
3.5  
TR2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
RATINGS  
UNIT  
Collector-Base Voltage  
VCBO  
-60  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
-50  
V
VEBO  
-6  
V
Collector Current – Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction & Storage Temperature  
IC  
-0.15  
A
PC  
0.15  
W
℃
TJ, TSTG  
150, -55~150  
TR2 PNP ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX.  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
Collector Output Capacitance  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCE(sat)  
fT  
Cob  
-60  
-50  
-6  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
µA  
µA  
IC=-50µA, IE=0  
IC=-1mA, IB=0  
IE=-50µA, IC=0  
VCB=-60V, IE=0  
-0.1  
-0.1  
560  
-0.5  
-
-
VEB=-6V, IC=0  
120  
VCE=-6V, IC=-1mA  
IC=-50mA, IB=-5mA  
VCE=-12V, IC=-2mA, f=100MHz  
VCB=-12V, IE=0, f=1MHz  
-
-
-
-
140  
-
V
MHz  
pF  
5
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
28-Oct-2009 Rev. B  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMZ1N_15 UTC

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