5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMT2222A
UMT2222A PDF预览

UMT2222A

更新时间： 2024-09-12 22:17:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
NPN Medium Power Transistor (Switching)

阅读下载

中文翻译

获取价格

UMT2222A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.31
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

UMT2222A 数据手册

 浏览型号UMT2222A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMT2222A的Datasheet PDF文件第3页 
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A  
Transistors  
NPN Medium Power Transistor (Switching)  
UMT2222A / SST2222A / MMST2222A / PN2222A  
!Features  
CEO >  
2) Complements the UMT2907A / SST2907A  
!External dimensions (Units : mm)  
1) BV  
40V (I 10mA)  
C=  
2.0 0.2  
UMT2222A  
0.9 0.1  
1.3 0.1  
0.65 0.65  
0.7 0.1  
0.2  
(1)  
(2)  
/ MMST2907A / PN2907A.  
0
∼ 0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
+0.1  
0.3  
−0  
0.15 0.05  
All terminals have same dimensions  
2.9 0.2  
+
0.2  
!Package, marking, and packaging specifications  
0.95  
SST2222A  
−0.1  
0.45 0.1  
1.9 0.2  
0.95 0.95  
Part No.  
Packaging type  
Marking  
UMT2222A SST2222A MMST2222A PN2222A  
(2)  
(1)  
UMT3  
R1P  
SST3  
R1P  
SMT3  
R1P  
TO-92  
−
T93  
0
∼
0.1  
0.2Min.  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
T106  
T116  
T146  
Code  
Basic ordering unit  
(pieces)  
+0.1  
0.15  
−0.06  
+
0.1  
3000  
3000  
3000  
3000  
0.4  
−0.05  
ROHM : SST3  
MMST2222A  
All terminals have same dimensions  
2.9 0.2  
+
0.2  
1.1  
−0.1  
1.9 0.2  
0.8 0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0
∼ 0.1  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
+
0.1  
0.15  
−0.06  
+
0.1  
0.4  
Collector-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
75  
−0.05  
All terminals have same dimensions  
4.8 0.2 3.7 0.2  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
40  
V
PN2222A  
6
V
I
C
0.6  
A
UMT2222A,SST2222A,  
0.2  
W
MMST2222A  
SST2222A  
PN2222A  
Collector power  
dissipation  
P
C
∗
0.35  
0.625  
150  
W
W
Junction temperature  
Tj  
Tstg  
°C  
°C  
0.5 0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Storage temperature  
−
55 ∼ +150  
(1) (2) (3)  
5
+0.3  
2.5  
∗
−
0.1  
ROHM : TO-92  
EIAJ : SC-43  
When mounted on a 7 x 5 x 0.6 mm ceramic board  
+0.15  
0.45  
2.3  
−
0.05  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
75  
40  
6
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
100  
100  
0.3  
1
V
V
I
I
I
C
C
E
=
10µA  
=10mA  
V
=10µA  
I
CBO  
−
−
−
−
0.6  
−
nA  
nA  
V
CB  
EB  
=
=
60V  
Emitter cutoff current  
I
EBO  
V
3V  
I
I
I
I
C
/I  
/I  
/I  
/I  
B
=
150mA/15mA  
500mA/50mA  
150mA/15mA  
500mA/50mA  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
V
V
C
C
C
B
B
B
=
=
=
1.2  
2
V
BE(sat)  
35  
50  
75  
50  
100  
40  
300  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
300  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
=
10V , I  
10V , I  
10V , I  
C
C
C
=
C
=
0.1mA  
=1mA  
10mA  
150mA  
=
=
=
=
=
=
=
=
DC current transfer ratio  
hFE  
−
1V , IC  
10V , I  
10V , I  
20V , I  
10V , f  
=
=
150mA  
500mA  
−
−
8
CE  
CE  
CB  
C
C
Transition frequency  
Output capacitance  
Emitter input capacitance  
Delay time  
f
T
MHz  
pF  
pF  
ns  
=−20mA, f  
100kHz  
100kHz  
=100MHz  
Cob  
Cib  
td  
=
=
25  
10  
25  
225  
60  
EB  
CC  
CC  
CC  
CC  
=0.5V , f  
=
=
=
=
30V , VBE(OFF)  
30V , VBE(OFF)  
=
=
0.5V , I  
0.5V , I  
C
C
=
=
150mA , IB1  
150mA , IB1  
=
=
15mA  
15mA  
Rise time  
tr  
ns  
Storage time  
tstg  
tf  
ns  
30V , I  
30V , I  
C
=
=
150mA , IB1 =−  
150mA , IB1 =−  
I
I
B2  
=
=
15mA  
15mA  
Fall time  
−
ns  
C
B2  
123

中文翻译

下载PDF

UMT2222A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT2222LT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors
MMBT2222ALT3G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors
MMBT2222ALT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors

与UMT2222A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMT2222A_07 ROHM

获取价格

 		NPN Medium Power Transistor (Switching)
UMT2222AT106 ROHM

获取价格

 		NPN Medium Power Transistor (Switching)
UMT2222AT107 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMT2222AT206 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
UMT250 SCHURTER

获取价格

 		Surface Mount Fuse, 3 x 10.1 mm, Time-Lag T, 250 VAC, 125 VDC
UMT250_18 SCHURTER

获取价格

 		Surface Mount Fuse, 3 x 10.1 mm, Time-Lag T, 250 VAC, 125 VDC
UMT2751.0 CLARE

获取价格

 		HIGH-SPEED, HIGH-CURRENT SURGE PROTECTORS
UMT2751.5 CLARE

获取价格

 		HIGH-SPEED, HIGH-CURRENT SURGE PROTECTORS
UMT2752.0 CLARE

获取价格

 		HIGH-SPEED, HIGH-CURRENT SURGE PROTECTORS
UMT2752.5 CLARE

获取价格

 		HIGH-SPEED, HIGH-CURRENT SURGE PROTECTORS

与UMT2222A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证