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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMT3904
UMT3904 PDF预览

UMT3904

更新时间： 2024-10-31 22:17:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
NPN General Purpose Transistor

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UMT3904 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.73
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

UMT3904 数据手册

 浏览型号UMT3904的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMT3904的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UMT3904的Datasheet PDF文件第4页 
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904  
Transistors  
NPN General Purpose Transistor  
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
CEO  
C
1) BV > 40V (I = 1mA)  
2.0±0.2  
0.9±0.1  
0.7±0.1  
1.3±0.1  
UMT3904  
2) Complements the UMT3906 / SST3906 / MMST3906  
/ 2N3906.  
0.65 0.65  
(1) (2)  
0.2  
0~0.1  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
+0.1  
−0  
0.3  
0.15±0.05  
All terminals have same dimensions  
2.9±0.2  
+0.2  
0.95  
SST3904  
−0.1  
0.45±0.1  
1.9±0.2  
!Package, marking and packaging specifications  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0~0.1  
0.2Min.  
Part No.  
Packaging type  
Marking  
UMT3904 SST3904 MMST3904  
2N3904  
TO-92  
-
UMT3  
R1A  
SST3  
R1A  
SMT3  
R1A  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
(3)  
+0.1  
0.15  
+0.1  
−0.05  
−0.06  
ROHM : SST3  
MMST3904  
0.4  
T106  
T116  
T146  
T93  
Code  
Basic ordering unit  
(pieces)  
All terminals have same dimensions  
3000  
3000  
3000  
3000  
2.9±0.2  
+0.2  
1.1  
−0.1  
1.9±0.2  
0.8±0.1  
0.95 0.95  
(2)  
(1)  
0~0.1  
(3)  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
+0.1  
0.15  
−0.06  
+0.1  
−0.05  
0.4  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
All terminals have same dimensions  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
40  
V
4.8±  
0.2  
3.7±0.2  
2N3904  
6
V
I
C
0.2  
A
UMT3904,  
0.2  
W
SST3904,  
Collector  
power  
MMST3904  
+
0.15  
PC  
0.5  
2.5  
−
0.05  
dissipation  
W
W
SST3904, MMST3904  
2N3904  
0.35  
0.625  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
*
ROHM : TO-92  
EIAJ : SC-43  
(1) (2) (3)  
5
+
0.3  
−
0.1  
0.45±  
0.1  
2.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
150  
°C  
°C  
−55~+150  
When mounted on a 7 x 5 x 0.6 mm ceramic board.  
*
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
60  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
I
I
I
C
C
E
= 10µA  
= 1mA  
40  
6
-
V
= 10µA  
CB = 30V  
EB = 3V  
I
CES  
-
50  
50  
0.2  
0.3  
0.85  
0.95  
nA  
nA  
V
V
Emitter cutoff current  
I
EBO  
-
-
I
I
I
I
C/I  
C/I  
C/I  
C
/I  
B
B
B
B
= 10mA/1mA  
= 50mA/5mA  
= 10mA/1mA  
= 50mA/5mA  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
-
0.65  
-
V
40  
70  
100  
60  
30  
300  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
CE = 1V , I  
C
C
C
C
C
= 0.1mA  
= 1mA  
DC current transfer ratio  
h
FE  
300  
-
-
= 10mA  
= 50mA  
= 100mA  
~
-
-
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Emitter input capacitance  
Delay time  
fT  
MHz  
pF  
pF  
ns  
V
V
V
V
V
V
V
CE = 20V , IE = −10mA, f = 100MHz  
CB = 10V , f = 100kHz  
Cob  
Cib  
td  
4
-
8
EB = 0.5V , f = 100kHz  
CC = 3V , VBE(OFF) = 0.5V , I  
CC = 3V , VBE(OFF) = 0.5V , I  
-
35  
35  
200  
50  
C
C
= 10mA , IB1 = 1mA  
= 10mA , IB1 = 1mA  
Rise time  
tr  
-
ns  
Storage time  
tstg  
tf  
-
ns  
CC = 3V , I  
CC = 3V , I  
C
= 10mA , IB1 = −IB2 = 1mA  
= 10mA , IB1 = −IB2 = 1mA  
Fall time  
-
ns  
C
1234

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与UMT3904相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMT3904_1 ROHM

获取价格

 		NPN General Purpose Transistor
UMT3904T106 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-70,
UMT3904T107 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL
UMT3904T206 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
UMT3904U3 ROHM

获取价格

 		UMT3904U3 is a transistor for audio frequency small signal amplifier. Complementary is the
UMT3906 ROHM

获取价格

 		PNP General Purpose Transistor
UMT3906_1 ROHM

获取价格

 		PNP General Purpose Transistor
UMT3906T106 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SC-70
UMT3906T107 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
UMT3N ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO

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