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UMT2TR PDF预览

UMT2TR

更新时间： 2024-02-07 11:24:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UM6, 6 PIN

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UMT2TR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UMT2TR 数据手册

 浏览型号UMT2TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMT2TR的Datasheet PDF文件第3页 
EMT3 / IMT3A  
Transistors  
General purpose (dual transistors)  
EMT3 / IMT3A  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Two 2SA1037AK chips in a EMT or SMT package.  
EMT3  
zEquivalent circuits  
( )  
4
( )  
5
( )  
6
( )  
3
( )  
2
( )  
1
EMT3  
IMT3A  
1.2  
1.6  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
Tr2  
Tr2  
Tr1  
Tr1  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT6  
IMT3A  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−60  
−50  
−6  
−150  
Unit  
V
Collector-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
1.6  
2.8  
I
C
mA  
∗1  
∗2  
EMT3  
IMT3A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Collector power  
dissipation  
P
C
mW  
0.3Min.  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
Each lead has same dimensions  
∗1 120mW per element must not be exceeded.  
∗2 200mW per element must not be exceeded.  
ROHM : SMT6  
EIAJ : SC-74  
zPackage, marking, and packaging specifications  
Type  
Package  
EMT3  
EMT6  
T3  
IMT3A  
SMT6  
T3  
Marking  
Code  
T2R  
T108  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−60  
−50  
−6  
−
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
V
I
I
I
C
=−50µA  
=−1mA  
C
−
−
−
−
V
E
=−50µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−0.1  
−0.1  
−0.5  
560  
−
µA  
µA  
V
V
V
CB=−60V  
EB=−6V  
Emitter cutoff current  
I
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
120  
−
−
−
140  
4
I
C/I  
B
=−50mA/−5mA  
=−1mA  
h
−
MHz  
V
V
V
CE=−6V, I  
CE=−12V, I  
CE=−12V, I  
C
Transition frequency  
f
T
E
=2mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
∗
Output capacitance  
Cob  
−
5
pF  
E
∗Transition frequency of the device.  
Rev.A  
1/2  
123

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