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UMG6N PDF预览

UMG6N

更新时间： 2024-01-13 02:26:50
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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UMG6N 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.51其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e3/e2
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN/TIN COPPER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UMG6N 数据手册

 浏览型号UMG6N的Datasheet PDF文件第2页 
EMG6 / UMG6N / UMH14N / FMG6A / IMH14A / IMH15A  
Transistors  
General purpose (dual digital transistors)  
EMG6 / UMG6N / UMH14N / FMG6A /  
IMH14A / IMH15A  
!Features  
1) Two DTC114T chips in a EMT or UMT or SMT package.  
!Equivalent circuit  
IMH15A  
EMG6 / UMG6N  
FMG6  
UMH14N  
IMH14A  
(3)  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
(6)  
(4)  
(5)  
(6)  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
R1  
(4)  
(5)/(6)  
(2)  
(1)  
(4) (5)  
(6)  
(3) (2)  
(1)  
(3)  
(2)  
(1)  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
50  
5
V
V
I
C
100  
mA  
EMG6 / UMG6N / UMH14N  
FMG6A / IMH14A / IMH15A  
150(TOTAL)  
300(TOTAL)  
150  
Collector power  
dissipation  
Pc  
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
Max.  
−
−
Conditions  
Unit  
V
50  
50  
5
I
I
I
C
=50µA  
=1mA  
V
C
−
−
−
−
V
E
=50µA  
CB=50V  
EB=4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
0.5  
0.5  
0.3  
600  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−
100  
−
−
I
C/I  
B
=5mA/0.5mA  
=5V/1mA  
h
250  
250  
47  
−
MHz  
kΩ  
V
CE/I  
C
Transition frequency  
f
T
V
CE=10V, I  
E
=−5mA, f=100MHz  
∗
Input resistance  
R1  
32.9  
61.1  
−
∗Transition frequency of the device.  
!Package, marking, and packaging specifications  
Type  
EMG6  
EMT5  
G6  
UMG6N UMH14N FMG6A  
IMH14A  
SMT6  
H14  
IMH15A  
SMT6  
H15  
Package  
UMT5  
G6  
UMT6  
H14  
SMT5  
G6  
Marking  
Code  
T2R  
TR  
TR  
T148  
3000  
T108  
T110  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
8000  
3000  
3000  
3000  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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