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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMG8N | ROHM |
获取价格 |
Emitter common (dual digital transistors) |
|
| UMG8N | CJ |
获取价格 |
SOT-353 |
|
| UMG8N | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,100mA,NPN Bipolar Digital Transistor |
|
| UMG8NTL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, |
|
| UMG8N-TP | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| UMG8N-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| UMG8TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG8TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG9 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMG9N | ROHM |
获取价格 |
Emitter common (dual digital transistors) |
|
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