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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.79 | 其他特性： | DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 5 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UMG9NTR | ROHM |
获取价格 |
EMG9 / UMG9N / FMG9A NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Tra |
|
| UMG9TL | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
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| UMG9TR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
| UMH1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO |
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| UMH10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
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| UMH10N | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| UMH10N | HTSEMI |
获取价格 |
General purpose transistors (dual transistors) |
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| UMH10N | CJ |
获取价格 |
SOT-363 |
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| UMH10N | MCC |
获取价格 |
Tape:3K/Reel,120K/Ctn; |
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| UMH10N | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-363 |
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