UMH10NTR

更新时间： 2024-02-24 07:10:48

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, UMT6, SC-88, 6 PIN

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UMH10NTR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
其他特性：	DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UMH10NTR 数据手册

EMH10 / UMH10N / IMH10A

Transistors

General purpose (dual digital transistors)

EMH10 / UMH10N / IMH10A

zExternal dimensions (Units : mm)

zFeatures

1) Two DTC123J chips in a EMT or UMT or SMT

package.

EMH10

2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3

automatic mounting machines.

3) Transistor elements are independent, eliminating

interference.

(

)

( )

1.2

1.6

Each lead has same dimensions

4) Mounting cost and area can be cut in half.

Abbreviated symbol : H10

ROHM : EMT6

UMH10N

zStructure

Epitaxial planar type

NPN silicon transistor

(Built-in resistor type)

1.25

2.1

The following characteristics apply to both DTr¹and DTr².

0.1Min.

zEquivalent circuit

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : H10

ROHM : UMT6

EIAJ : SC-88

EMH10 / UMH10N

IMH10A

(3) (2) (1)

(4) (5) (6)

DTr1

IMH10A

DTr

DTr2

(4) (5) (6)

(3) (2) (1)

=2.2kΩ

=47kΩ

=2.2kΩ

=47kΩ

1.6

2.8

0.3to0.6

zPackaging specifications

Each lead has same dimensions

Package

Taping

ROHM : SMT6

EIAJ : SC-74

Abbreviated symbol : H10

Code

T2R

T110

3000

−

8000

3000

−

Type

Basic ordering unit (pieces)

EMH10

UMH10N

IMH10A

−

12 3 4

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